연구성과

강문성 교수 연구팀, 포토리소그래피가 가능한 고분자 반도체 겔 전환기술 저명학술지 게재

 

유기 고분자 반도체는 향후 플렉서블‧스트레쳐블 전자기기에 사용될 핵심 반도체 소재이나 실리콘과 같은 무기물 반도체에 비해 물리적/화학적 내구성이 약해 현재 반도체/전자산업계에서 가장 널리 쓰이는 포토리소그래피 패턴 공정에 직접 적용이 어렵다.

 

이런 한계를 극복하고자 강문성 교수팀과 공동연구진은 고분자 반도체와 실리카네트워크로 이루어진 ‘3차원 초밀도 엉킴구조’를 바탕으로 고분자 반도체 박막의 물리적/화학적 내구성을 비약적으로 증대시키는 소재 변환기술을 발표하였다. 새로 개발된 소재 변환기술을 바탕으로 기존에는 적용불가하였던 포토리소그래피 공정을 통해 1 마이크로미터 (1 마이크로미터 = 10^-6 미터) 미만의 고분자 반도체 패턴을 형성할 수 있음을 확인하였으며, 나아가 초고해상도 유기전자회로 및 올레드(OLED)를 제작하는데 성공하였다. 해당기술은 다양한 고분자 반도체에 범용적으로 활용될 수 있기에 그 파급력이 매우 클 것으로 기대된다. 

 

 

이번 연구는 삼성전자 미래기술육성센터의 삼성미래기술육성사업 지원으로 한양대학교 김도환 교수팀 숭실대학교 이호진 교수팀과 함께 수행됐다. 연구결과는 재료과학 분야 국제학술지 「Advanced Materials」 (Impact factor: 25.809) 7월호에 표지논문으로 게재되었다.

강문성 교수 (서강대 화공생명공학과)

 

연구실 홈페이지: https://sites.google.com/site/mskanggroup/ 

논문제목: Universal Route to Impart Orthogonality to Polymer Semiconductors for Sub‐Micrometer Tandem Electronics

논문링크: https://onlinelibrary.wiley.com/doi/abs/10.1002/adma.201901400