연구성과

전자공학과 석사과정 강민희, 한국 반도체 학술대회 우수 포스터상 수상

- Selection line optimization을 통한 NEM memory switch의 신뢰성 개선

 ▲ (왼쪽부터) 최우영 교수, 강민희 전자공학과 석사과정

  

서강대학교 전자공학과 최우영 교수 연구팀이 Selection line optimization을 통해 나노전기기계소자(NEM)의 stress를 완화시켜 NEM의 신뢰성 향상에 기여하였다. 연구 결과는 지난 2월 강원도에서 열린 한국 반도체 학술 대회(KCS)에서 우수포스터 상을 수상하였다.

 

이번에 발표된 Selection line optimization 구조의 NEM은 유한요소법을 통해 유효성이 검증되었으며, selection line의 감소에 따라 NEM의 anchor 부분에 집중되는 stress가 감소됨을 보여주었다. 또한, selection line을 줄이면서 발생하는 NEM의 풀인 전압 변화도 함께 제시하여 최적화된 selection line 길이를 제시하였다. 본 연구팀에서 제안한 selection line optimization의 NEM은 기존 구조 대비 stress를 약 40% 이상 낮출 것으로 예상된다. 이를 통해 제안된 구조가 CMOS-NEM hybrid circuits의 신뢰성을 향상시키는 데 큰 기여를 할 것으로 기대된다.

 

본 연구과제에서 제안된 selection line optimization NEM은 기존의 신뢰성 향상을 위한 제시되었던 새로운 물질 및 구조 적용 등의 방법들과는 다르게 단순히 selection line의 길이를 조절하는 것만으로 신뢰성을 향상시킬 수 있으므로 CMOS-process 호환성 등의 문제가 없어 기술적 효용이 높다고 생각한다.

 

  

□ 논문명, 저자정보

 

- 논문제목: Selection Line Optimization of Nanoelectromechanical (NEM) Memory Switches for Stress Relief

- 저자 정보 : 최우영 교수 (교신저자), 강민희 석사 과정 (제 1저자)

- ‘The 27th Korean Conference on Semiconductors (KCS2020)‘ 우수 포스터상 수상, 2020년 2월

 

□ 그림 설명

 

(a) 본 연구팀에서 제안한 optimized selection line NEM의 schematic.

(b) Selection line optimization에 따른 NEM의 stress 완화 결과.